检索结果分析
- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
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申请号：CN200710092912.6
申请日：20071030
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，...
- P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
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申请号：CN200710092912.6
申请日：20071030
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极，它通过采用CIO透明导电薄膜结构，使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15％以上，可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率，...
- 一种用于密闭发光二极管系统的散热结构
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申请号：CN200520009905.1
申请日：20050905
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本实用新型涉及一种用于密闭发光二极管系统的散热结构。其特征在于：在装有发光二极管的线路板背面覆盖有既导热又绝缘的散热片。在散热片与金属外壳之间连接有支撑。本实用新型的优点是：结构简单，生产成本低，能将系统内部的热量有效传...