检索结果分析
- 无掺杂GeSn量子阱的金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201410080145.7
申请日：20140306
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有无掺杂GeSn量子阱的pMOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：在基底（108）上生长半导体材料（103），半导体材料（103）上面为GeSn沟道（101），在沟道和栅（106）之间是绝缘介电质...
- 双轴张应变GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310752794.2
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
- 双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310752794.2
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有双轴张应变的GeSnn沟道MOSFET。该MOSFET(10)包括衬底（101）、源极和漏极（102,103）、GeSn沟道（104）、绝缘介电质薄膜（105）以及栅电极（106）。源漏区域材料的晶格常...
- 带有源漏应变源的GeSn n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
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申请号：CN201310752768.X
申请日：20131231
申请人：重庆大学
浏览量：0 - 摘要：本发明提供一种带有源漏应变源的GeSn n沟道MOSFET。该MOSFET(10)的特征在于：源漏应变源（106）生长在源漏极区域（101），GeSn沟道上生长绝缘介电质薄膜（104），绝缘介电质薄膜上覆盖一层柵（105...