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  • 发明人=丁文春x
排序:
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件

申请号:CN201410174541.6

申请日:20140428

申请人:重庆大学

浏览量:0
摘要:本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件,P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层,有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件

申请号:CN201410174541.6

申请日:20140428

申请人:重庆大学

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摘要:本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件,P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层,有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
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