基于表面电极技术的高通量细胞电融合芯片装置

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201110026922.6 

申 请 日：20110125 

发 明 人：胡宁杨军郑小林罗洪艳廖彦剑侯文生许莎张小玲刘琳琳胡晋豪徐涛 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20121205 

公 开 号：CN102174388B 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 50123 

摘　　要：一种基于表面电极的高通量细胞电融合芯片装置，其由微电极阵列芯片和带进出样导管的盖片构成。微电极阵列芯片自下而上依次分为石英基底层、多聚物微通道层和顶层保护层；在石英基底层上制作底层梳状微电极阵列，多聚物微通道层的中间有微通道，其上制作与底层梳状微电极阵列形状和位置均对应的顶层梳状微电极阵列，并在微通道的侧壁上形成侧壁表面电极，侧壁表面电极分别连接底层梳状微电极阵列和顶层梳状微电极阵列对应的每一对梳齿，使三者电气联通组成三明治结构。本发明通过使微电极阵列贴附与多聚物微通道层上，避免传统的齿状突出电极结构带来的细胞堵塞问题，同时保证微电极的集成度和较好的融合效率。 

主 权 项：?基于表面电极的高通量细胞电融合芯片装置，其由微电极阵列芯片和带进出样导管的盖片构成；其特征在于：所述微电极阵列芯片自下而上依次分为石英基底层、多聚物微通道层和顶层保护层；在所述石英基底层上制作有底层梳状微电极阵列，所述底层梳状微电极阵列在石英基底层上以梳齿相对的形式对称布置两组；所述多聚物微通道层的中间加工有上下开敞的微通道，其位置对应于底层梳状微电极阵列两组之间的位置，微通道的两端为储样孔；在所述多聚物微通道层上制作有与底层梳状微电极阵列形状和位置均对应的顶层梳状微电极阵列，并在微通道的侧壁上形成有侧壁表面电极，侧壁表面电极分别连接底层梳状微电极阵列和顶层梳状微电极阵列对应的每一对梳齿，使底层梳状微电极阵列、侧壁表面电极和顶层梳状微电极阵列电气联通；所述底层梳状微电极阵列和顶层梳状微电极阵列的电信号输出和输出端分别通过金丝采用金丝键合工艺在各自的外侧形成键合点，实现与外界控制电路的电气连接；所述带进出样导管的盖片通过表面等离子处理后键合在所述微电极阵列芯片上，其上的进出样导管分别连通微通道两端的储样孔。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C12N15/02; C12M1/42