一种SiCMosfet可靠性及高温老化测试装置
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810283776.7
申 请 日：20180402
申 请 人：重庆大学全球能源互联网研究院有限公司
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙坪坝沙正街174号
公 开 日：20180928
公 开 号：CN108594101A
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心50201
摘 要：本发明公开了一种SiC Mosfet可靠性及高温老化测试装置，它包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：1、执行湿热冲击环境下的测试；2、执行雨环境下的测试；3、执行高盐分环境下的测试；4、执行高湿度环境下的测试；5、单周期高温老化的测试。本发明的技术效果是：实现了在多个因素的环境下对SiC Mosfet进行可靠性测试，在SiC Mosfet进行高温老化测试时，设置了热冲击状态，获得有效实验时间，提高了实验精度。??全部
主 权 项：1.一种SiC?Mosfet可靠性及高温老化测试装置，其特征是：包括老化温控箱、电压检测器、电流检测器和控制器，老化温控箱顶面安装有盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，老化温控箱底面安装盐雾传感器，控制器输出端口用控制线连接老化温控箱以及盐雾喷头、水喷头和水雾喷头，老化温控箱内的温湿度传感器、盐雾传感器、电压检测器、电流检测器分别通过数据线连接控制器，所述控制器包括存储器、处理器以及存储在存储器上可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现以下步骤：步骤1、判定是否湿热冲击环境下测试，若是，执行湿热冲击环境下的测试，然后确认是否退出测试；步骤2、判定是否在雨环境下测试，若是，执行雨环境下的测试；然后确认是否退出测试；步骤3、判定是否在高盐分环境下测试，若是，执行高盐分环境下的测试；然后确认是否退出测试；步骤4、判定是否在高湿度环境下测试，若是，执行高湿度环境下的测试；然后确认是否退出测试；步骤5、执行单周期高温老化的测试，然后确认是否退出测试；SiC?Mosfet器件失效或者设定时间，程序结束。
关 键 词：测试;高温老化测试装置;存储器;高温老化;控制器;温控箱;处理器;老化;控制器输出端口;处理器执行;电流检测器;电压检测器;高湿度环境;计算机程序;可靠性测试;冲击环境;技术效果;水雾喷头;盐雾喷头;单周期;控制线;热冲击;水喷头;湿热;存储
法律状态：
IPC专利分类号：G01R31/26(2014.01)I