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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201511015387.9
申 请 日:20151231
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20171020
公 开 号:CN105420573B
代 理 人:张先芸
代理机构:重庆博凯知识产权代理有限公司 50212
摘 要:本发明公开了一种含微量稀土的高阻尼Mg?Sn?Ce合金及其制备工艺,该镁合金主要由Mg、Sn、Ce三种元素组成,包括分布于合金中的以下合金化元素成分及其百分比重量含量值:Sn=0.5%~3.5%,Ce=0.40%~0.49%,余量为镁和不可避免的杂质。本发明通过合理的成分设计Sn、Ce含量,并采取适当的熔炼工艺,制备出规律性的平行第二相组织,其有利于合金的阻尼性能。生产工艺中通过控制合金成分和熔炼工艺,可控制合金中的第二相形貌分布,能有效提高合金的阻尼性能(SDC=41%),且密度低于2g/cm3。本发明工艺简单,可移植性强,且成本低,容易操作,可广泛应用于国防、民用行业,以达到轻量化和减振降噪的作用。
主 权 项:高阻尼MG?SN?CE合金,其特征在于,该镁合金由MG、SN、CE三种元素组成,其各组成重量百分比含量值为:SN=0.5%~3.5%,CE=0.40%~0.49%,余量为镁和不可避免的杂质。
关 键 词:
法律状态:公开
IPC专利分类号:C22C23/00; C22C1/03