提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201510545652.8 

申 请 日：20150831 

发 明 人：王飞鹏张涛杨楠李剑杜林王有元陈伟根廖瑞金杨丽君姚陈果赵学童 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20160120 

公 开 号：CN105261429A 

代 理 人：武君 

代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 

摘　　要：本发明属于工程电介质与电气工程技术领域,具体涉及一种提升聚酰亚胺闪络电压的方法,包括以下步骤：1)将聚酰亚胺薄膜清洗洁净并且干燥；2)对聚酰亚胺薄膜进行打磨；3)将打磨过后的聚酰亚胺清洗洁净并于真空干燥箱中进行干燥。本发明提供的技术方案实现简单,所需要的工具成本低,具有很好的实用性,不需要特殊的设备和特殊的处理条件,采用简单机械砂磨即可实现,可重复性强。通过表面砂磨的方法,在材料表面形成的沟壑,可以有效的提升爬电距离,使得放电通道的形成受到阻碍,减小了二次电子发射系数,使材料的闪络电压得到有效的提升。 

主 权 项：提升聚酰亚胺薄膜交流闪络电压的方法,其特征在于：包括以下步骤：1)将聚酰亚胺薄膜清洗洁净并且干燥；2)对聚酰亚胺薄膜进行打磨；3)将打磨过后的聚酰亚胺清洗洁净并于真空干燥箱中进行干燥。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：H01B19/04