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一种考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型获取方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201810022236.3 

申 请 日:20180110 

发 明 人:司马文霞杨鸣刘永来袁涛彭代晓 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20180706 

公 开 号:CN201810022236.3 

代 理 人:武君 

代理机构:北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 

摘  要:本发明公开了一种考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型获取方法,包括在变压器工作于非饱和区时,采用开路试验和短路试验确定其参数;在变压器铁芯工作于饱和区时,进行深度饱和试验,以交直流混合电源激励铁芯得到饱和状态,测试不同饱和程度下的端口视在增量电感;根据π模型电路结构计算两个励磁支路的饱和电感,再转换为励磁曲线数据,以饱和段的励磁曲线数据描述铁芯从开始饱和到深度饱和的渐变过程;根据以上数据,建立考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型。本发明建立的考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型,能够为EMTP类电磁暂态软件提供基础的变压器模型,提高其对变压器深度饱和物理现象的模拟能力。 

主 权 项:1.一种考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型获取方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:在变压器工作于非饱和区时,采用开路试验和短路试验确定其参数;S2:在变压器铁芯工作于饱和区时,进行深度饱和试验,以交直流混合电源激励铁芯进入饱和状态,测试不同饱和程度下的端口视在增量电感L1、L2;根据π模型电路结构计算两个励磁支路的饱和电感Lm1_s、Lm2_s,再转换为励磁曲线数据,通过多次滚动测量得到整条饱和段的励磁曲线数据,以整条饱和段的励磁曲线数据描述铁芯从开始饱和到深度饱和的渐变过程;S3:根据以上数据,建立考虑铁芯深度饱和特性的单相双绕组变压器改进π模型。 

关 键 词: 

法律状态:生效 

IPC专利分类号:G06F17/50;G06F17/00;G01R27/26;G01R27/00;G;G06;G01;G06F;G01R;G06F17;G01R27;G06F17/50;G06F17/00;G01R27/26;G01R27/00