基于分布式拓扑永磁体结构的筒式磁流变缓冲器
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810267597.4
申 请 日：20180328
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180720
公 开 号：CN108302151A
代 理 人：吕小琴
代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129
摘 要：本发明公开了一种基于分布式拓扑永磁体结构的筒式磁流变缓冲器,包括缸筒、浮动活塞、阻尼活塞、阻尼杆和分布式拓扑永磁体；分布式拓扑永磁体包括内套于缸筒内圆的外分布式拓扑永磁体和内分布式拓扑永磁体,所述阻尼活塞为套设于内、外分布式拓扑永磁体之间的环形结构,所述外分布式拓扑永磁体的内圆和内分布式拓扑永磁体的外圆直径沿轴向由后向前逐渐拓扑变化,所述阻尼活塞的外圆与外分布式拓扑永磁体内圆之间和阻尼活塞内圆与内分布式拓扑永磁体外圆之间分别形成变径阻尼通道；通过预置拓扑设计,使磁流变缓冲器应用中省去了传感器、控制器和供电环节,提高了系统可靠性。
主 权 项：1.一种基于分布式拓扑永磁体结构的筒式磁流变缓冲器,其特征在于：包括缸筒、浮动活塞、阻尼活塞、阻尼杆和分布式拓扑永磁体；所述浮动活塞沿轴向滑动密封设置于缸筒内腔并将缸筒内腔分隔成气体缓冲腔和磁流变液腔；所述阻尼杆的后端与阻尼活塞固定连接并用于驱动阻尼活塞轴向运动,所述分布式拓扑永磁体包括内套于缸筒内圆的外分布式拓扑永磁体和内分布式拓扑永磁体,所述阻尼活塞为套设于内、外分布式拓扑永磁体之间的环形结构,所述阻尼活塞的后端沿轴向设置有用于安装内分布式拓扑永磁体的阻尼孔,所述外分布式拓扑永磁体的内圆和内分布式拓扑永磁体的外圆直径沿轴向渐变,所述阻尼活塞的外圆与外分布式拓扑永磁体的内圆之间和阻尼活塞的内圆与内分布式拓扑永磁体的外圆之间分别形成变截面环形阻尼通道；所述内、外分布式拓扑永磁体均为由多个永磁环和多个导磁环交错重叠形成,轴向相邻的两个永磁环轴向相对面磁性相同。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：F16F9/53;F16F9/32