一种具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201811292131.6 

申 请 日：20181031 

发 明 人：唐明春余亚清陈志远孙笑帅熊汉 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20190319 

公 开 号：CN201811292131.6 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明公开了一种具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线。该阵列天线包括两辐射贴片、设置于两辐射贴片之间正上方的悬置混合型互耦抑制结构和寄生耦合地板。所述悬置混合型互耦抑制结构由两层不同的结构构成，位于两辐射贴片之间正上方。本发明为多层PCB结构，易加工集成，尺寸小，剖面低，且在宽频带内具有高隔离特性，并且天线的其它性能保持良好。 

主 权 项：1.一种具有高隔离度的双极化/圆极化宽带高密度阵列天线，其特征在于：包括两方形辐射贴片(1)/圆形辐射贴片(1’)置于两辐射贴片之间正上方的悬置混合型互耦抑制结构(2)(3)/(2’)(3’)寄生耦合的地板(4)/(4’)，所述悬置混合型互耦抑制结构由两层不同的结构构成，位于两辐射贴片之间正上方。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：H01Q1/38;H01Q1/00;H01Q1/48;H01Q1/00;H01Q1/50;H01Q1/00;H01Q1/52;H01Q1/00;H01Q15/24;H01Q15/00;H01Q21/00;H;H01;H01Q;H01Q1;H01Q15;H01Q21;H01Q1/38;H01Q1/00;H01Q1/48;H01Q1/00;H01Q1/50;H01Q1/00;H01Q1/52;H01Q1/00;H01Q15/24;H01Q15/00;H01Q21/00