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基于主动扫频声激励的金属薄板缺陷定位方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201810643442.6 

申 请 日:20180621 

发 明 人:杨进沈子莹 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20181113 

公 开 号:CN108802184A 

代 理 人:侯春乐 

代理机构:重庆乾乙律师事务所 50235 

摘  要:本发明提出了一种基于主动扫频声激励的金属薄板缺陷定位方法,所述方法包括:装置布设、信号获取、信号处理、缺陷定位四个步骤;该方法能通过时延信息得到缺陷位置曲线,然后根据缺陷位置曲线的交点确定缺陷位置;本发明的有益技术效果是:提出了一种基于主动扫频声激励的金属薄板缺陷定位方法,该方法不需要预先知道导波传播速度即可实现缺陷定位,定位的准确性较高。 

主 权 项:1.一种基于主动扫频声激励的金属薄板缺陷定位方法,其特征在于:所述方法包括:1)装置布设:在待测金属薄板表面设置多个压电陶瓷传感器,多个压电陶瓷传感器呈环形分布,多个压电陶瓷传感器所围区域形成检测区;在待测金属薄板表面设置一致动激励器,致动激励器位于检测区中部;以待测金属薄板表面为坐标平面,建立二维直角坐标系,获取各个压电陶瓷传感器在二维直角坐标系中的坐标;2)信号获取:控制致动激励器向待测金属薄板施加扫频激励信号,同时,通过多个压电陶瓷传感器获取检测信号;3)信号处理:对单个检测信号进行处理时,先对检测信号进行自适应滤波处理得到滤波信号,然后采用系统辨识方法对滤波信号进行处理,得到对应的滤波系数,然后根据滤波系数得到滤波系数最大值所对应的时延信息T;4)缺陷定位:将任意两个压电陶瓷传感器记为一个传感器组,多个压电陶瓷传感器即可得到多个传感器组;将单个传感器组所辖的两个压电陶瓷传感器分别记为第i号传感器和第j号传感器,按下式得到相应的缺陷位置曲线:其中,Ti为第i号传感器对应的时延信息,Tj为第j号传感器对应的时延信息;(xi,yi)为第i号传感器在所述二维直角坐标系中的坐标,(xj,yj)为第j号传感器在所述二维直角坐标系中的坐标;(x,y)为缺陷位置在所述二维直角坐标系中的坐标;对多个传感器组进行处理,即可得到多条缺陷位置曲线;将多条缺陷位置曲线叠放在一起,多条缺陷位置曲线的交点在所述二维直角坐标系中的坐标位置即为缺陷位置,如此,就能在无导波传播速度的条件下实现缺陷定位。 

关 键 词: 

法律状态: 

IPC专利分类号:G01N29/04;G01N29/42