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薄膜材料泊松比及杨氏弹性模量的几何测量法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN200910190983.9 

申 请 日:20090927 

发 明 人:孙俊贻李英民郑周练何晓婷陈山林 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400030重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日:20100317 

公 开 号:CN101672750A 

代 理 人:张先芸 

代理机构:重庆博凯知识产权代理有限公司 

摘  要:本发明公开了一种薄膜材料泊松比及杨氏弹性模量的几何测量法,将待检测的薄膜材料周边夹紧,使其形成半径为a的周边夹紧的圆薄膜,并在圆薄膜上施加均布载荷q,测出圆薄膜上任意两点的挠度值w(r),根据Hencky给出的周边夹紧的圆薄膜在均布载荷作用下的精确解析解,推导出薄膜的泊松比及杨氏弹性模量的计算表达式,利用圆薄膜上任意两点的挠度值之比,便可以精确地计算出薄膜的泊松比及杨氏弹性模量。本发明薄膜材料泊松比及杨氏弹性模量的几何测量法,操作简便可行,测量参数少,求解的泊松比及杨氏弹性模量更精确,力学物理意义明确。 

主 权 项:1.一种薄膜材料泊松比及杨氏弹性模量的几何测量法,其特征在于,包括下述步骤:1)将带检测的薄膜材料周边夹紧,使其形成半径为a的周边夹紧的圆薄膜,在圆薄膜上施加均布载荷q;2)测出圆薄膜上任意两点的挠度值其中0≤λi<1,i=1,2;3)计算两点的挠度值之比k=w(r)|r=λ2aw(r)|r=λ1a,根据公式v=2cf(c)f-1(c)+1E=a4cq[g(c)-λ2g(λ2c)]32hw3(r)|r=λa,其中,v为薄膜的泊松比,E为薄膜的杨氏弹性模量,a为圆薄膜半径,q为圆薄膜上施加的均布载荷,h为薄膜的厚度,λ取λ1或者λ2,各个量的单位采用国际单位制,系数c由下式决定(k-1)g(c)+λ22g(cλ22)-kλ12g(cλ12)=0.以上表达式中的两个函数f(x)和g(x)分别为f(x)=1-12x-16x2-13144x3-17288x4-37864x5-120536288x6-2192418128512x7-6634069292626432x8-515237632633637888x9-99879630557940033536x10-1181567904137648084426752x11,g(x)=1+14x+536x2+55576x3+796x4+2053456x5+17051338688x6+286448565028096x7+1038632652633637888x8+27047983752467968x9+423676138731274680737792x10+14561952041468250066944x11,将k值代入以上公式中,则可求得薄膜的泊松比v及杨氏弹性模量E。 

关 键 词: 

法律状态: 

IPC专利分类号:G01N3/20(2006.01)I