一种高度隔离的三阵元微带平面天线阵列
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810224075.6
申 请 日：20180319
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180814
公 开 号：CN201810224075.6
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种高度隔离的三阵元微带平面天线阵列，包含上层介质基板，下层介质基板，接地平面，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅰ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅱ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅲ和微带去耦网络结构，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅰ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅱ和微带平面天线阵元辐射贴片Ⅲ均印刷在上层介质基板的上表面；接地平面印刷在上层介质基板和下层介质基板之间，微带去耦网络结构印刷在下层介质基板的下表面。微带平面天线阵元辐射贴片Ⅰ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅱ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅲ在上层介质基板上表面呈直线排列，且沿介质基板中心呈左右对称分布。本发明能够明显的提高相邻天线阵元间在工作频段的隔离度。
主 权 项：1.一种高度隔离的三阵元微带平面天线阵列，其特征在于：包含上层介质基板，下层介质基板，接地平面，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅰ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅱ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅲ和微带去耦网络结构，所述微带平面天线阵元辐射贴片Ⅰ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅱ和微带平面天线阵元辐射贴片Ⅲ均印刷在上层介质基板的上表面；所述接地平面印刷在所述上层介质基板和下层介质基板之间，所述微带去耦网络结构印刷在所述下层介质基板的下表面；所述微带平面天线阵元辐射贴片Ⅰ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅱ，微带平面天线阵元辐射贴片Ⅲ在所述上层介质基板上表面呈直线排列，且沿介质基板中心呈左右对称分布，相邻两天线阵元之间的间距相等。
关 键 词：微带;平面天线阵;辐射贴片;上层介质基板;介质基板;阵元;下层;平面天线阵列;接地平面;网络结构;上表面;印刷;去耦;左右对称分布;隔离;工作频段;相邻天线;直线排列;隔离度;下表面
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01Q21/06;H01Q21/00;H01Q1/52;H01Q1/00;H;H01;H01Q;H01Q21;H01Q1;H01Q21/06;H01Q21/00;H01Q1/52;H01Q1/00