一种高活性阴极及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201110323975.4 

申 请 日：20111021 

发 明 人：黎学明黄舒李武林陶传义 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20120215 

公 开 号：CN102352517A 

代 理 人：张群峰;范晓斌 

代理机构：北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙)11391 

摘　　要：一种高活性阴极及其制备方法。该方法包括：提供作为阴极基体的Ni网；配置过渡层涂覆液，其中Rh(NO3)3的含量为1g/L～3g/L；将过渡层涂覆液涂覆于Ni网上并进行烘干和热分解处理以在Ni网上得到过渡层；配置活性层涂覆液，其中H2PtCl6·6H2O、RuCl3·3H2O和Ce(NO3)3·6H2O的含量分别为3～6g/L、15～25g/L和1～2g/L；以及将活性层涂覆液涂覆于具有过渡层的Ni网上并进行烘干和热分解处理以在过渡层上得到活性层。根据上述方法制备的高活性阴极的组成为Ni/Rh2O3/RuO2-Pt-CeO2，基体表面的过渡层与活性层通过分开涂覆来实现，涂覆层中铑元素负载量仅为0.08～0.2g/m2，涂覆层制作过程为“预烘干+热分解”，避免了气孔的产生，极大地改善了过渡层与Ni基体结合力，使电极整体稳定性好，抗反向电流冲击和抗中毒能力大大增强。??全部 

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法律状态： 

IPC专利分类号：C25B11/02(2006.01)I;C25B11/04(2006.01)I;C25B11/08(2006.01)I;C25B1/34(2006.01)I