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复合结构的直流磁传感器
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201210470961.X
申 请 日：20121120
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20150708
公 开 号：CN102937705B
代 理 人：侯懋琪;侯春乐
代理机构：重庆辉腾律师事务所 50215
摘 要：本发明公开了一种复合结构的直流磁传感器，包括由磁致伸缩材料层和压电材料层组成的层状结构体，其特征在于：在磁致伸缩材料层上设置有非晶态合金薄膜层，非晶态合金薄膜层和压电材料层分别位于磁致伸缩材料层大平面的两侧。本发明的有益技术效果是：提高了传感器的直流灵敏度，而且尺寸较小，有利于制备小型化高灵敏的磁传感器件，相比传统的磁致伸缩材料/压电材料复合的磁传感器，本发明的传感器既可以探测交流磁场也可以探测直流磁场，具有更强的探测功能。
主 权 项：一种复合结构的直流磁传感器，包括由磁致伸缩材料层（1）和压电材料层（2）组成的层状结构体，其特征在于：在磁致伸缩材料层（1）上设置有非晶态合金薄膜层（3），非晶态合金薄膜层（3）和压电材料层（2）分别位于磁致伸缩材料层（1）大平面的两侧；磁致伸缩材料层（1）、压电材料层（2）和非晶态合金薄膜层（3）的横截面形状均为矩形，其中，磁致伸缩材料层（1）沿矩形的长度方向磁化，压电材料层（2）沿层状结构体的厚度方向极化；非晶态合金薄膜层（3）的厚度既小于磁致伸缩材料层（1）的厚度又小于压电材料层（2）的厚度。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：G01R33/02(2006.01)I