掩埋式电极的GaN紫外光电探测传感器及其应用电路模块
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710757483.3
申 请 日：20170829
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180105
公 开 号：CN107546283A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种掩埋式电极的GaN紫外光电探测传感器及其应用电路模块，属于光电技术领域。本发明利用垂直刻蚀工艺把传统金属?半导体?金属(MSM)结构GaN紫外探测器的平面型电极进行立体嵌入设计，形成掩埋式电极的GaN?MSM结构，获得高速、高灵敏度的紫外光探测传感器；针对该器件的特性，设计阻抗匹配电流?电压转换放大电路，提升动态响应特性，获得微瓦、纳秒级入射紫外光的伏特级检测电压实时输出。本发明能实现紫外探测的电源供电、输出信号的标准化，降低应用成本，适用于电力设备放电、交通运输工具的起停、军民用火焰检测等领域。
主 权 项：掩埋式电极的GaN紫外光电探测传感器，其特征在于：包括衬底部分、GaN外延层、电极I和电极II；所述衬底部分位于底层，与GaN外延层相连；所述GaN外延层厚度为hGaN；所述电极I和电极II不相连，所述电极I和电极II呈交错齿状，错齿宽度为λ，错齿间距为λ，所述电极I和电极II以深度d掩埋在GaN外延层内，hGaN＞d。
关 键 词：电路;应用;紫外光;GaN;金属;探测传感器;掩埋式电极;输出;电力设备;交通运输;灵敏度;检测;设计;电源;标准化;供电;响应;转换;电压;及其;
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01L31/0224(2006.01)I,H01L31/09(2006.01)I,H01L31/18(2006.01)I,G01J1/42(2006.01)I,G01J1/44(2006.01)I