浏览量:0
专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201710165541.3
申 请 日:20170320
申 请 人:重庆纳鼎光电科技有限公司重庆大学
申请人地址:401124重庆市渝北区龙塔街道黄龙路28号朗俊中心3幢2-1
公 开 日:20170630
公 开 号:CN106905957A
代 理 人:赵荣之
代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司11275
摘 要:本发明涉及一种锰掺杂甲基氨基钙钛矿纳米晶体的制备方法,实验方法简单,利用简单的热注射反应方法得到锰掺杂半导体量子点,并通过改变某些参数,能制备出锰掺杂的钙钛矿纳米线。根据本制备方法得到的锰掺杂有机钙钛矿纳米晶体颗粒均匀,荧光效率高,且具有较大的斯托克斯位移,在发光二极管,太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。??全部
主 权 项:
关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:C09K11/06(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I