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甲基对硫磷分子印迹电化学传感器及其制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201310702806.0
申 请 日：20131219
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20140326
公 开 号：CN103675050A
代 理 人：唐开平
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明公开了一种甲基对硫磷分子印迹电化学传感器及其制备方法。该传感器包括玻碳电极，在玻碳电极上覆盖羧基石墨烯-纳米金复合材料涂层，在所述羧基石墨烯-纳米金复合材料涂层上具有与甲基对硫磷分子对应的分子印迹孔穴。其制备方法包括羧基石墨烯-纳米金复合材料的合成、用石墨烯-纳米金复合材料修饰玻碳电极、形成甲基对硫磷分子印迹膜板、去除甲基对硫磷分子印迹膜板分子四个步骤。通过电化学性能测试，本发明甲基对硫磷分子印迹传感器的灵敏度较高，用甲基对硫磷溶液浓度为4×10-8mol.L-1与浓度为0对比，电流曲线发生了明显变化，实现了对低浓度甲基对硫磷进行微痕量检测。
主 权 项：一种甲基对硫磷分子印迹电化学传感器，包括玻碳电极，其特征是：在玻碳电极上覆盖羧基石墨烯?纳米金复合材料涂层，在所述羧基石墨烯?纳米金复合材料涂层上具有与甲基对硫磷分子对应的分子印迹孔穴。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：G01N27/26(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I