一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201310005683.5
申 请 日：20130108
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20130424
公 开 号：CN103060888A
代 理 人：
代理机构：
摘 要：本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法，根据溶解度公式，配制一定温度的饱和溶液；过滤后，在饱和温度以上20℃过热得生长溶液；将籽晶用胶固定在掣晶杆顶端；胶固化后将其引入到育晶器中，籽晶经微溶和再生过程后进入晶体生长阶段；生长期间，晶体靠掣晶杆带动按如下方式周期性地作三维运动：由左向右，由下向上，由外往里，由右向左，由上向下，由里往外。本发明中，由于晶体每一个晶面在生长过程中反复地轮流地作为迎面、侧面和背面的相对溶液的运动，因此消除了现有方法中包裹物等缺陷易形成的区域，能保持晶体表面大而且较为均匀的过饱和度，是一种快速的全方位的高质量溶液中生长晶体的方法。
主 权 项：一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法，其特征在于，该方法包括溶液配制、溶液过滤、溶液过热、籽晶固定、晶体三维运动生长五个工艺步骤，具体步骤如下：1）溶液配制：根据溶解度公式，计算配制V升温度为t摄氏度的饱和溶液所需原料量，称取该量的优级纯原料，加入到量取的V升二次蒸馏水中，配制得到该温度下的饱和溶液；2）溶液过滤：先后用滤纸和微孔滤膜过滤溶液，得纯清溶液；3）溶液过热：将纯清溶液在饱和温度以上20摄氏度恒温过热24小时以上，制得生长溶液；4）籽晶固定：用胶将籽晶粘贴到掣晶杆顶端；5）晶体三维运动生长：将装好生长溶液的育晶器置于恒温水浴中，恒定于过热温度；将籽晶和掣晶杆缓慢加热到过热温度，然后引入到育晶器中，密封，保持溶液于过热温度一定时间，使籽晶微溶以消除表面微晶；然后按设定程序降温与
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：C30B7/00(2006.01)I;C30B28/04(2006.01)I