一种新型单相电流源型逆变器拓扑结构与调制方法

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN201810666199.X

申请日：20180626

发明人：刘和平苗轶如刘庆涂郁潇颖黄鹏黄远胜董治平杨生博游逍遥

申请人：重庆大学

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

公开日：20181106

公开号：CN108768192A

代理人：王翔

代理机构：重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237

摘　　要：本发明公开了一种新型单相电流源型逆变器拓扑结构与调制方法。拓扑结构主要包括逆变器、电流传感器、电压传感器、低通滤波器和数字信号处理器。调制方法为：1)搭建新型单相电流源型逆变器拓扑结构。2)在每个载波周期内,对电感Ldc的电流进行实时采样,将采样值idc和指令值进行比较。3)确定每个开关管信号的驱动逻辑。4)对指令值进行优化,从而保证电感Ldc的实时电流采样值idc最优,即对电感Ldc的实时电流采样值idc进行优化控制。本发明在不增加开关次数与开关损耗的前提下,实现了直流侧电感电流的优化控制。

主权项：1.一种新型单相电流源型逆变器拓扑结构,其特征在于：主要包括逆变器、电流传感器、电压传感器和低通滤波器和数字信号处理器。所述逆变器电路结构如下所示：记直流可调电源Udc的正极所在一端为A端,负极所在一端为B端；A端依次串联电感Ldc和二极管VD1的阳极；二极管VD1的阴极串联开关管S1的集电极；开关管S1的基极悬空；开关管S1的发射极串联开关管S2的集电极；开关管S2的基极悬空；开关管S2的发射极串联二极管VD2的阳极；二极管VD2的阴极串联B端；开关管S1的发射极依次串联电容C和开关管S4的集电极；开关管S4的基极悬空；开关管S4的发射极串联二极管VD4的阳极；二极管VD4的阴极串联B端；开关管S1的发射极依次串联负载R和开关管S4的集电极；A端串联开关管S5的发射极；开关管S5的基极悬空；开关管S5的集电极串联二极管VD5的阴极；二极管VD5的阳极串联二极管VD1的阳极；A端依次串联电感Ldc和二极管VD3的阳极；二极管VD3的阴极串联开关管S3的集电极；开关管S3的基极悬空；开关管S3的发射极串联开关管S4的集电极；所述电流传感器测量逆变器中电感Ldc的实时电流采样值idc；所述电压传感器测量逆变器输出电压u0；所述低通滤波器对实时电流采样值idc和输出电压u0进行滤波,并将滤波后的实时电流采样值idc和输出电压u0传递给所述数字信号处理器；所述数字信号处理器对所述滤波后的实时电流采样值idc和输出电压u0进行模数转换和处理,从而产生开关管驱动信号ps1、开关管驱动信号ps2、开关管驱动信号ps3、开关管驱动信号ps4和开关管驱动信号ps5,并将开关管驱动信号ps1、开关管驱动信号ps2、开关管驱动信号ps3、开关管驱动信号ps4和开关管驱动信号ps5传递给逆变器,从而控制逆变器中开关管S1、开关管S2、开关管S3、开关管S4和开关管S5的通断。

关键词：

法律状态：

IPC专利分类号：H02M7/48