专利类型:实用新型
语 言:中文
申 请 号:CN200420061801.0
申 请 日:20041022
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20060125
公 开 号:CN2754070Y
代 理 人:张先芸
代理机构:重庆博凯知识产权代理有限公司
摘 要:用于红外焦平面阵列的背景电流抑制读出电路,该电路包括:缓冲直接注入结构、背景电流和暗电流的电流存储器及相关双采样电路,其改进在于背景电流和暗电流存储器100的控制端即NMOS管106的栅极,依次连接PMOS管108、模数数模转换器109和非易失性存储器110,从而构成存储和自动刷新所保存的背景电流和暗电流的电路。本实用新型的电路利用电流存储器进行背景电流自动抑制,并采用模数和数模转换器以及非易失性存储器来保持电流存储器中的电容上的电压不会衰减,克服了现有高背景电流抑制读出电路在使用中需要用机械电子装置定期校正的缺点,而且该电路具有很高的电荷处理能力。
主 权 项:1、用于红外焦平面阵列的背景电流抑制读出电路,该电路包括:缓冲直接注入结构、背景电流和暗电流的电流存储器及相关双采样电路,其特征在于:缓冲直接注入结构电路的输出端接背景电流和暗电流存储器(100),并经PMOS管(111)到积分电路、缓冲器(114)、相关双采样电路(115)接输出Vout;背景电流和暗电流存储器(100)的控制端即NMOS管(106)的栅极,依次连接PMOS管(108)、模数数模转换器(109)和非易失性存储器(110),从而构成存储和自动刷新所保存的背景电流和暗电流的电路。
关 键 词:
法律状态:终止
IPC专利分类号:G01J1/44(2006.01);G01D5/40(2006.01)