一种含锆镁合金牺牲阳极材料及其制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201310119195.7 

申 请 日：20130408 

发 明 人：郝杰卢发海胡光山张丁非余大亮蒋璐瑶郭非郭瑞峰魏新磊 

申 请 人：鹤壁万德芙镁科技有限公司重庆大学 

申请人地址：458030 河南省鹤壁市鹤壁国家经济开发区金山工业区文明路西段 

公 开 日：20130717 

公 开 号：CN103205762A 

代 理 人：赵荣之 

代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘　　要：本发明公开了一种含锆镁合金牺牲阳极材料及其制备方法，所述含锆镁合金牺牲阳极材料按质量百分比计由以下组分组成：锆0.03%～0.07%，锰0.5%～1.3%，硅≤0.05%，杂质：单个≤0.05%，总量≤0.3%，其余为镁；其制备方法为：按照质量百分比选取工业纯镁和工业纯二氯化锰，混合加热到775～785℃使其全部熔化，静置降温到750～760℃，加入相应质量百分比的镁锆中间合金，使其熔化并搅拌均匀，将所得熔液按低压铸造方式进行铸造，得到含锆镁合金。本新型镁合金牺牲阳极材料通过加入锆减少原材料中镁硅相的含量，使镁合金牺牲阳极材料消耗均匀、寿命长，采用本方法制备上述阳极材料工艺简单、铸件缺陷少。 

主 权 项：一种含锆镁合金牺牲阳极材料，其特征在于：所述含锆镁合金牺牲阳极材料按质量百分比计由以下组分组成：锆：0.03%～0.07%，锰：0.5%～1.3%，硅：≤0.05%，杂质：单个≤0.05%，总量≤0.3%，其余为镁。 

关 键 词： 

法律状态：公开 

IPC专利分类号：C23F13/14(2006.01)I;C22C23/00(2006.01)I;B22D18/04(2006.01)I