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基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201110195907.4
申 请 日：20110713
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20130123
公 开 号：CN102280343B
代 理 人：张先芸
代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212
摘 要：本发明公开了一种基于双面图形化衬底的透射式GaN紫外光电阴极，该阴极自下而上由蓝宝石衬底、AlN/AlxGa1-xN缓冲层、p型GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层组成；蓝宝石衬底的上表面均布设有m个凹孔Ⅰ，102≤m≤104，蓝宝石衬底的下表面均布设有n个凹孔Ⅱ，102≤n≤104。本发明采用双面凹孔图形结构提高蓝宝石衬底对紫外光的透射率，并增加蓝宝石衬底的生长应力作用范围，以提高缓冲层及GaN外延层质量，从而使GaN阴极获得较高的量子转换效率。
主 权 项：一种基于双面图形化衬底的透射式GAN紫外光电阴极，其特征在于：该阴极自下而上由蓝宝石衬底（1）、ALN或ALXGA1?X?N缓冲层（2）、P型GAN光电发射层（3）以及CS或CS/O?激活层（4）组成；所述蓝宝石衬底（1）的上表面均布设有M个凹孔Ⅰ（5），102≤M≤104，蓝宝石衬底（1）的下表面均布设有N个凹孔Ⅱ（6），102≤N≤104。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01J40/06