一种快速响应的相变存储器损耗均衡方法

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN201210568914.9

申请日：20121225

发明人：刘铎沙行勉诸葛晴凤王添正邵子立谭玉娟梁靓

申请人：重庆大学

申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙正街174号

公开日：20130320

公开号：CN102981971A

代理人：唐开平

代理机构：重庆大学专利中心50201

摘　　要：本发明涉及一种相变存储器的损耗均衡方法。它包括以下步骤：判定相变存储器中频繁写的热区和不频繁写的冷区；将热区划分为多个热区小块；依次将每一个热区小块与对应冷区物理位置交换，实现热区小块的移动，所有热区小块移动结束后完成热区移动，直至热区移动遍及全部存储区后再循环移动；通过逻辑LA-物理PA地址的转换公式获得需要访问的相变存储器物理地址。本发明具有如下的优点：避免了大量写操作集中在热区，实现了相变存储器损耗均衡，能延长相变存储器的寿命，又能保证系统快速响应。??全部

主权项：

关键词：

法律状态：

IPC专利分类号：G06F12/02(2006.01)I