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基于总线式均衡网络的隔离型变换器和工作方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201710371093.2 

申 请 日:20170524 

发 明 人:凌睿胡睿王峰张腾刘金平刘辉杨常浩 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400045重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20170915 

公 开 号:CN107171562A 

代 理 人: 

代理机构: 

摘  要:本发明公开了一种基于总线式均衡网络的隔离型变换器,第一MOS管漏极接输入电源正极,所述第一MOS管源极接第二MOS管漏极,所述第一MOS管源极又接变压器原边正极,所述第二MOS管源级接输入电源负极,第一电阻一端接输入电源正极,所述一电阻另一端接输入电源负极,第三MOS管漏极接第一MOS管漏极,所述第五MOS管漏极又接输出电源正极,所述第七MOS管源极接变压器副边负极,所述第七MOS管源极又接第八MOS管漏极,所述第八MOS管源极接第六MOS管源极,所述第八MOS管源极又接输出电源负极,所述第六MOS管漏极接变压器副边正极。??全部 

主 权 项:一种基于总线式均衡网络的隔离型变换器,其特征在于,包括:第一MOS管,第二MOS管,第三MOS管,第四MOS管,第五MOS管,第六MOS管,第七MOS管,第八MOS管,第一电阻,第二电阻,第一电感,第一电容,变压器;第一MOS管漏极接输入电源正极,所述第一MOS管源极接第二MOS管漏极,所述第一MOS管源极又接变压器原边正极,所述第二MOS管源级接输入电源负极,第一电阻一端接输入电源正极,所述一电阻另一端接输入电源负极,第三MOS管漏极接第一MOS管漏极,所述第三MOS管源极接第四MOS管漏极,所述第三MOS管源极又接变压器原边负极,所述第四MOS管源极接输入电源负极,第一电感一端接变压器副边正极,所述第一电感另一端接第五MOS管源极,所述第五MOS管漏极接第七MOS管漏极,所述第五MOS管漏极又接输出电源正极,所述第七MOS管源极接变压器副边负极,所述第七MOS管源极又接第八MOS管漏极,所述第八MOS管源极接第六MOS管源极,所述第八MOS管源极又接输出电源负极,所述第六MOS管漏极接变压器副边正极,第一电容一端接第二电阻一端,所述第一电容另一端接第二电阻另一端,所述第二电阻一端接输出电源正极,所述第二电阻另一端接输出电源负极。 

关 键 词: 

法律状态:公开 

IPC专利分类号:H02M3/335(2006.01)I