一种消除硅热法炼镁中生成的单质钾、钠危害的方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201010559978.3 

申 请 日：20101126 

发 明 人：游国强李爱听龙思远左旭东邹钢 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20121024 

公 开 号：CN101984100B 

代 理 人： 

代理机构： 

摘　　要：本发明提供一种消除硅热法炼镁中生成的单质钾、钠危害的方法，该方法通过将能与钾、钠发生反应的金属氧化物粉末预先粘附到钾钠捕集器上，并将钾钠捕集器按常规炼镁流程放置于还原罐内，使还原过程生成的单质钾、钠在进入捕集器后与金属氧化物发生反应，转变为K2O、Na2O，避免开罐时发生燃烧，从而消除炼镁中单质钾、钠燃烧带来的危害。 

主 权 项：一种消除硅热法炼镁中生成的单质钾、钠危害的方法，其特征在于包括如下步骤：在硅热法炼镁中，将能与单质K、NA发生置换反应的金属氧化物粉末粘附于钾钠捕集器表面，然后将钾钠捕集器按照常规工艺规程放置于炼镁还原罐内并进行真空硅热还原生产；还原结束后，打开罐盖，取出钾钠捕集器并清理、待用。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：C22B26/22