检测氢气的气敏元件制备方法

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN200810069532.5 

申 请 日：20080401 

发 明 人：刘天模甘浩宇利佳赵先瑞 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日：20110622 

公 开 号：CN101251508B 

代 理 人：胡荣珲 

代理机构：重庆志合专利事务所 50210 

摘　　要：本发明涉及一种检测氢气的气敏元件制备方法，将超声波和低温陈化技术运用到锌盐、锡盐的络合效应与化学共沉淀制备纳米ZnSnO3。本发明是在纳米ZnSnO3的基础上，掺杂贵金属盐PdCl2、粘接剂(正硅酸乙脂)和去离子水，通过研磨、超声波震荡、涂料、烧结等工艺制成新型的PdO-ZnSnO3旁热式半导体气敏元件。其中纳米ZnSnO3基料采用改进的共沉淀法制得。本发明具有气敏材料灵敏度高、选择性强、工作温度低、制备工艺简单等优点。 

主 权 项：1. 一种检测氢气的气敏元件制备方法，其特征在于有以下步骤：A.制备掺杂有PDCL2和正硅酸乙脂的ZNSNO3粉料；B.ZNSNO3粉料经过3～6小时研磨混合后，超声波分散；C.用去离子水将ZNSNO3粉料调成糊状后，涂敷在带有铂电极的陶瓷管上，涂层厚度为0.5～1.5MM；D.将上述陶瓷管在80～120℃温度下干燥1.5～2小时，600～800℃热处理烧结8小时后，连接在带有镍管角的底座上，即得用于检测氢气的气敏元件。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：G01N27/407