带变压器的高效非隔离交错并联BOOST变换器和工作方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710375816.6
申 请 日：20170524
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400045重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20170929
公 开 号：CN107222098A
代 理 人：
代理机构：
摘 要：本发明公开了一种带变压器的高效非隔离交错并联BOOST变换器和工作方法，第一电感一端连接第二MOS管漏极，第三电感与第一电感并联，同样连接第二MOS管漏极，所述第一电感另一端连接第二电感一端，所述第一MOS管源极连接第二MOS管源极，所述第一MOS管漏极连接第二电感另一端，所述第二电感一端还连接变压器漏感一端，所述变压器漏感另一端连接变压器一次侧输入端，所述第二MOS管漏极连接变压器一次侧输出端，这使得具有更低导通电阻的MOS管能够被选择来进一步减小开关损耗和导通损耗。??全部
主 权 项：一种带变压器的高效非隔离交错并联BOOST变换器，其特征在于，包括：第一MOS管、第二MOS管、第一电感、第二电感、变压器漏感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、负载、输出电容，第一电容、第二电容、变压器，第一电感一端连接第二MOS管漏极，第三电感与第一电感并联，同样连接第二MOS管漏极，所述第一电感另一端连接第二电感一端，所述第一MOS管源极连接第二MOS管源极，所述第一MOS管漏极连接第二电感另一端，所述第二电感一端还连接变压器漏感一端，所述变压器漏感另一端连接变压器一次侧输入端，所述第二MOS管漏极连接变压器一次侧输出端，这使得具有更低导通电阻的MOS管能够被选择来进一步减小开关损耗和导通损耗。第一MOS管漏极和第二电容一端，所述第一电感另一端还连接变压器二次侧输入端和第一电容一端，所述第一电容另一端连接第二二极管正极和第三二极管负极，所述第一二极管负极连接变压器二次侧输出端，所述第二二极管负极连接第二电容另一端和第一二极管正极，所述第三二极管正极分别连接输出电容一端和负载一端，所述输出电容另一端连接第二MOS管源极，所述负载另一端连接第二MOS管源极。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H02M3/155(2006.01)I;H02M3/06(2006.01)I