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专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201510768328.2
申 请 日:20151111
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20160106
公 开 号:CN105218932A
代 理 人:赵荣之
代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要:本发明公开了一种抑制绝缘材料内部空间电荷的聚乙烯复合材料及其制备方法,所述复合材料为添加ZnO和SiO2纳米粒子的低密度聚乙烯,所述ZnO和SiO2纳米粒子总添加量为3~5wt%,ZnO和SiO2纳米粒子之间的质量比为1:1。本发明研究发现ZnO和SiO2纳米粒子质量比为1:1,总的添加量为3wt%时,获得的聚乙烯复合材料在极化场强为50kV/mm时内部平均体电荷密度最低,为0.472C/m3,大大低于现有技术中各项实验的研究结果,说明质量比为1:1的ZnO和SiO2纳米粒子能够有效的改善聚乙烯材料内部的空间电荷分布,削弱电场的畸变。
主 权 项:一种抑制绝缘材料内部空间电荷的聚乙烯复合材料,其特征在于,所述复合材料为添加ZnO和SiO2纳米粒子的低密度聚乙烯,所述ZnO和SiO2纳米粒子总添加量为3~5wt%,ZnO和SiO2纳米粒子之间的质量比为1:1。
关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:C08L23/06;C08K3/22;C08K3/36;B29C35/02