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一种二氧化钛复合薄膜光电极及其制备方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN200810233010.4 

申 请 日:20081110 

发 明 人:唐笑钱觉时王智党玉栋万煜王华 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20120822 

公 开 号:CN101404216B 

代 理 人:胡正顺 

代理机构:重庆大学专利中心 50201 

摘  要:一种二氧化钛复合薄膜光电极及其制备方法,涉及DSC复合薄膜光电极及其制备方法。本发明产品由导电基片和二氧化钛复合薄膜构成,其复合薄膜由一层低结晶度TiO2和一层锐钛矿纳米晶TiO2介孔薄膜构成。本发明方法是在导电基片上,先制备低结晶度TiO2薄膜,后制备锐钛矿纳米晶TiO2薄膜而得成品。本发明产品组装的DSC短路光电流高达21.98mA/cm2,总光电转换效率达到6.89%,提高了47%。采用本发明产品组装的DSC光电转换效率显著提高。本发明方法工艺简单,成本低。采用本发明方法制备出的产品组装的DSC,可广泛应用于大面积光电转换系统,特别适用于与建筑相结合的外墙、屋顶、门窗、玻璃幕墙等。 

主 权 项:1.一种二氧化钛复合薄膜光电极,由导电基片和二氧化钛复合薄膜构成,其特征在于导电基片为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃或不锈钢片或金属钛片,二氧化钛复合薄膜由一层由粒径10~50NM左右的球形颗粒相互连接而成的低结晶度TIO2介孔薄膜和一层由粒径20~50NM的纳米晶相互连接而成的锐钛矿TIO2介孔薄膜构成,复合薄膜的厚度为4~30μM,其低结晶度TIO2介孔薄膜层与锐钛矿纳米晶TIO2介孔薄膜层的厚度比为1∶0.1~10。 

关 键 词: 

法律状态:生效 

IPC专利分类号:H01G9/20; H01G9/04; H01L31/18; H01L31/0224; H01M14/00