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一种用PEDOT/CNT涂层修饰的人工耳蜗预弯电极
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201510127639.0
申 请 日：20150323
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20150610
公 开 号：CN104688433A
代 理 人：王翔
代理机构：重庆大学专利中心 50201
摘 要：本发明针对现有技术的不足：1现有裸露的铂金电极触点植入耳蜗组织后容易堆积电荷，造成界面阻抗增大；2容易发生电化学腐蚀，电极的稳定性不高；3刺激电流阈值大；公开了一种用PEDOT/CNT涂层修饰的人工耳蜗预弯电极，包括电极金属丝引线、硅胶载体、电极触点和PEDOT/CNT涂层，使用PEDOT/CNT涂层修饰电极触点表面，使每个金属电极触点的表面都涂有一层均匀的PEDOT/CNT涂层。极大地降低了界面阻抗，增大了电荷注入能力，阻碍电极表面包裹的形成，减小刺激阈值电流和减小电荷堆积。
主 权 项：一种用PEDOT/CNT涂层修饰的人工耳蜗预弯电极，其特征在于：包括电极金属丝引线(4)、硅胶载体(5)、电极触点(7)和PEDOT/CNT涂层(8)，其中所述电极金属丝引线(4)与电极触点(7)焊接，若干焊接好的电极金属丝引线(4)和电极触点(7)构成电极阵列，将所述电极阵列用硅胶封装在硅胶载体(5)内，使电极触点(7)裸露在硅胶载体(5)表面，所述电极触点(7)的表面涂有PEDOT/CNT涂层(8)。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：A61F11/04(2006.01)I;A61F2/18(2006.01)I