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一种基于MMC的前后沿可调高压纳秒脉冲发生器

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201811282705.1 

申 请 日:20181031 

发 明 人:米彦万晖卞昌浩李盼彭文成 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日:20190301 

公 开 号:CN201811282705.1 

代 理 人:王翔 

代理机构:重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 

摘  要:本发明公开了一种基于MMC的前后沿可调高压纳秒脉冲发生器,主要包括开关电源、控制电路、MMC主电路系统、充电电阻和高压直流电源。开关电源为控制电路供电。控制电路向MMC主电路系统发送光信号。控制信息控制MMC主电路系统中所有MOSFET开关管的通断。MMC主电路系统处于放电状态时,通过控制所有MOSFET开关管导通和关断的时序,从而控制电路中的电容进行串联放电。MMC主电路系统通过控制信息改变电容接入和退出放电回路的时序,从而对输出脉冲的前沿和后沿进行调节。所述高压直流电源为放电状态下的MMC主电路系统供电。本发明通过多电平调节的方式对纳秒脉冲的前沿和后沿进行调节,大大提高了纳秒脉冲发生器的参数可调性,对于脉冲发生器的应用具有重要意义。 

主 权 项:1.一种基于MMC的前后沿可调高压纳秒脉冲发生器,其特征在于:主要包括所述开关电源、控制电路、MMC主电路系统、充电电阻和高压直流电源。所述开关电源为控制电路供电;所述控制电路向MMC主电路系统发送光信号;所述光信号携带控制信息;所述控制信息控制MMC主电路系统中所有MOSFET开关管的通断;所述MMC主电路系统处于放电状态时,通过控制所有MOSFET开关管导通和关断的时序,从而控制电路中的电容进行串联放电;所述MMC主电路系统输出高压纳秒脉冲;所述MMC主电路系统通过控制信息改变电容接入和退出放电回路的时序,从而对输出脉冲的前沿和后沿进行调节;所述MMC主电路系统处于充电状态时,电容C1、电容C2、…、电容Cn+m分别并联一个充电电阻,从而为高压直流电源充电;所述高压直流电源为放电状态下的MMC主电路系统供电。 

关 键 词: 

法律状态:生效 

IPC专利分类号:H02M9/04;H02M9/00;H03K3/57;H03K3/00;H;H02;H03;H02M;H03K;H02M9;H03K3;H02M9/04;H02M9/00;H03K3/57;H03K3/00