一种含稀土铈的高强度高电磁屏蔽性能变形镁合金

专利类型：发明专利

语言：中文

申请号：CN201210368547.8

申请日：20120928

发明人：陈先华潘复生刘娟

申请人：重庆大学

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号

公开日：20140312

公开号：CN102839307B

代理人：张先芸

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212

摘　　要：本发明公开了一种含稀土铈的高强度高电磁屏蔽性能的变形镁合金，其特征在于该变形镁合金由Mg、Zn、Zr、Ce组成，各组分质量百分含量为：Zn：5.50~5.80wt.%；Zr：0.45~0.60wt.%；Ce：0.45~1.90wt.%，其余为Mg和不可避免的杂质。本发明的变形镁合金材料兼有优良的电磁屏蔽性能和高的强度，在力学性能相对于普通商用ZK系高强度变形镁合金进一步改善的同时，使其电磁屏蔽性能显著地提高，充分挖掘了镁合金材料的使用潜力，可满足电子电气、航空航天和国防军工等领域对高强高电磁屏蔽性能及轻量化材料的实际需求。而且，本发明所用设备简单，可移植性强，成本较低，且容易操作。

主权项：一种含稀土铈的高强度高电磁屏蔽性能变形镁合金，其特征在于，所述镁合金由MG、ZN、ZR和CE组成，各组分的质量百分含量为：ZN：5.50~5.80?WT.%；ZR：0.45~0.60?WT.%；CE：0.45~1.90?WT.%，其余为MG和不可避免的杂质；不可避免的杂质为FE、SI等，其总量＜0.05?WT.%。

关键词：

法律状态：生效

IPC专利分类号：C22C1/03; C22C23/04