LED芯片/晶圆/外延片的非接触式检测方法及检测装置

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN200810070112.9 

申 请 日：20080813 

发 明 人：文玉梅文静李平朱永李恋 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20101110 

公 开 号：CN101339092B 

代 理 人：陈杨 

代理机构：重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 

摘　　要：本发明公开了一种LED芯片/晶圆/外延片的非接触式检测方法及检测装置，其中方法包括：通过检测可控激励光照射下待测器件PN结的光致发光，对LED芯片/晶圆/外延片的发光特性和电特性进行检测；检测装置包括：装置中的检测控制和信号处理单元对光检测单元传来的信号进行处理、分析，测试台用于夹持/移动待测器件、支承光检测单元；本发明的有益技术效果是：同时对LED芯片/晶圆/外延片的发光特性和电特性的非接触、无损检测，把LED产品的检测和筛选由“成品”环节推进到“芯片”环节，降低LED的成本。 

主 权 项：一种LED芯片/晶圆/外延片的非接触式检测方法，其特征在于：通过检测可控激励光照射下待测器件(8)PN结的光致发光，对LED芯片/晶圆/外延片的发光特性和电特性进行检测，检测方法按如下步骤进行：(1)在光强为Pin，0的可控激励光光照下测量参照样品PN结的光致发光强度Pout，0和光致发光中心波长λy，该参照样品的正向电流与发光强度的关系曲线“IF-Pout特性”为已知；(2)在同样光强为Pin，0的可控激励光光照及同样条件下测量待测器件(8)PN结的光致发光强度Pout，x和光致发光中心波长λc；(3)根据下式计算待测器件(8)PN结的正向电流： I F , x = P out , 0 P out , x I F 式中：IF，x为待测器件(8)PN结的正向电流；Pout，0为测量到的参照样品PN结的光致发光强度；Pout，x为测量到的待测器件(8)PN结的光致发光强度；IF为参照样品PN结的正向电流；(4)根据下式计算待测器件(8)PN结的正向偏置电压VFC： V FC = λ y λ c V F 式中：VFC为待测器件(8)PN结的正向偏置电压，VF为参照样品PN结的正向偏置电压，λy为测量到的参照样品PN结的光致发光中心波长，λc为测量到的待测器件(8)PN结的光致发光中心波长；(5)调节可控激励光强度Pin，0重复步骤(1)、(2)、(3)和(4)即可得到待测器件(8)PN结的V-I特性；(6)为更为准确的测量结果，从不同的方向和角度测量参照样品PN结的光致发光强度Pout，0和光致发光中心波长λy和同样条件下待测器件(8)PN结的光致发光强度Pout，x和光致发光中心波长λc，根据步骤(3)、(4)计算待测器件(8)PN结的正向电流IF，x和正向偏置电压VFC，取其平均值或加权平均值；(7)重复步骤(1)至(6)逐个检测待测LED芯片/晶圆/外延片上的PN结，即可实现对LED芯片/晶圆/外延片上LED阵列的检测。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：G01M11/02(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I;G01J1/00(2006.01)I