专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201710260549.8
申 请 日:20170420
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20170901
公 开 号:CN107124810A
代 理 人:王翔
代理机构:重庆大学专利中心50201
摘 要:本发明公开了一种基于磁脉冲压缩的DBD高频双极性纳秒脉冲发生器,包括电源系统、固态开关系统、控制电路和磁脉冲压缩系统。一种基于磁脉冲压缩的DBD高频双极性纳秒脉冲发生器,实质上是一种利用可饱和电感将脉冲电压进行压缩,从而提高电压波的上升沿,同时为了提高发生器的工作频率,采用全桥逆变电路产生双极性脉冲,能够省去磁芯复位电路。测试结果表明,通过双极性磁压缩系统,能够在负载两端输出的纳秒脉冲电压具有以下参数:幅值在5~13kV可调,上升沿100ns左右,重复频率可高至几kHz。??全部
主 权 项:一种基于磁压缩的DBD高频双极性纳秒脉冲发生器,其特征在于:包括电源系统(1)、固态开关系统(2)、控制电路(3)和磁脉冲压缩系统(4);所述电源系统(1)包括所述高压直流电源(101)、充电电阻(102)和并联电容器(103);所述高压直流电源(101)的两极之间依次串联充电电阻(102)和并联电容器(103);所述并联电容器(103)的两端为电源系统(1)的输出端子;所述固态开关系统(2)包括:驱动模块和IGBT全桥开关组(205);所述驱动模块包括+15VDC/DC隔离模块(201)、+15VDC/+5VDC转换模块(202)、光纤接收器(203)和驱动芯片(204);所述IGBT全桥开关组(205)包括IGBT?1(206)、IGBT?2(207)、IGBT?3(208)、IGBT?4(209)。所述驱动模块接收来自于控制电路(3)的控制信号后,向IGBT?1(206)、IGBT?2(207)、IGBT?3(208)和IGBT?4(209)门极G输入驱动电流信号;所述IGBT全桥开关组(205)中:IGBT?1(206)的集电极与IGBT?2(207)的集电极相连,并接入电源系统(1)的一个输出端子;IGBT?1(206)的发射极连接IGBT?3(208)的集电极,并成为固态开关系统(2)的一个输出端子;IGBT?2(207)的发射极连接IGBT?4(209)的集电极,并成为固态开关系统(2)的另一个输出端子;IGBT?3(208)的发射极与IGBT?4(209)的发射极相连,并接入电源系统(1)的另一个输出端子;所述控制电路(3)包括信号发生器(301)、光纤驱动器(302)、光纤发射器(303)和1分2光纤分路器(304);所述磁脉冲压缩系统(4)包括脉冲变压器(401)、锐化电容器(404)、磁开关(405)和电阻(407)。所述脉冲变压器(401)包括一非晶纳米晶合金环形磁芯(402);两段绝缘导线分别绕在非晶纳米晶合金环形磁芯(402)上,分别形成原边绕组线圈和副边绕组线圈;所述原边绕组线圈的两端分别接入固态开关系统(2)的两个输出端子;所述副边绕组线圈的两端并联锐化电容器(404);所述磁开关(405)包括铁氧体环形磁芯(406);绝缘导线绕在铁氧体环形磁芯(406)上形成绕组线圈;锐化电容器(404)的两端之间串联所述绕组线圈和电阻(407)。
关 键 词:
法律状态:生效
IPC专利分类号:H05H1/24(2006.01)I