一种高短路电流、高转化效率的钙钛矿太阳能电池制备方法及产品
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201810310685.8
申 请 日：20180330
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180907
公 开 号：CN201810310685.8
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明涉及一种高短路电流、高转化效率的钙钛矿太阳能电池制备方法及产品，属于光伏技术领域，该方法中首先在空穴传输层上旋涂甲基碘化胺层，然后在甲基碘化胺层上旋涂MAPbI3?xClx的热前驱液，当热的MAPbI3?xClx前驱液滴到甲基碘化胺层上时，会将旋涂好的甲基碘化胺层再次溶解，使得在空穴传输层和MAPbI3?xClx钙钛矿吸光层的界面处碘的浓度大于MAPbI3?xClx钙钛矿吸光层其他位置的浓度，经后期退火结晶后，在空穴传输层和MAPbI3?xClx钙钛矿吸光层的界面处的MAPbI3?xClx钙钛矿层会形成碘离子浓度梯度，而这种卤素浓度梯度会提高钙钛矿的导带的位置，从而更加有利于空穴的传输，进而提高短路电流和转化效率。该方法简单易操作，可以直接在工业生产中大规模推广，且在太阳能电池方面有着潜在的应用价值。
主 权 项：1.一种高短路电流、高转化效率的钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)对透明导电基底进行预处理；(2)在经步骤(1)处理后的透明导电基底上旋涂制备空穴传输层；(3)在步骤(2)中空穴传输层上界面修饰一步法旋涂制备MAPbI3?xClx钙钛矿吸光层，所述界面修饰一步法旋涂制备MAPbI3?xClx钙钛矿吸光层具体为：首先在步骤(2)中空穴传输层上旋涂甲基碘化胺层，然后将整体置于50?70℃下加热25?35s，再将MAPbI3?xClx的热前驱液旋涂在甲基碘化胺层上，最后放置30?60s后退火处理，制得MAPbI3?xClx钙钛矿吸光层，其中，在所述MAPbI3?xClx的热前驱液旋涂结束前10?20s时，开始滴加萃取液至所述MAPbI3?xClx的热前驱液旋涂结束；(4)在步骤(3)中MAPbI3?xClx钙钛矿吸光层上旋涂制备电子传输层；(5)在步骤(5)中电子传输层上蒸镀金属背电极，即可。
关 键 词：
法律状态：生效
IPC专利分类号：H01L51/42;H01L51/00;H01L51/44;H01L51/00;H01L51/48;H01L51/00;H;H01;H01L;H01L51;H01L51/42;H01L51/00;H01L51/44;H01L51/00;H01L51/48;H01L51/00