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一种高精度硅太阳能电池的工程模型及计算方法

专利类型:发明专利 

语 言:中文 

申 请 号:CN201610605852.2 

申 请 日:20160727 

发 明 人:郭珂伍敏黄恩芳戴博伟 

申 请 人:重庆大学 

申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号 

公 开 日:20180821 

公 开 号:CN105975803B 

代 理 人:赵荣之 

代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 

摘  要:本发明公开了一种高精度硅太阳能电池的工程模型及计算方法,包括以下步骤:S1通过基本等效参数模型得到基本I?V输出函数S2考虑辐照度与温度对等效参数的影响,尤其是对串联等效电阻的影响,从而对基本I?V输出函数进行修正,并且合理简化修正后的结果;S3最后通过对实验数据拟合得到修正简化后的I?V输出函数中难以通过理论计算得到的参数,从而得到太阳能电池的工程模型。本发明方法考虑了温度,以及辐照度对太阳能电池等效参数的影响,并且重点考虑了对串联等效电阻的影响,进而进一步修正了太阳能电池输出的工程数学模型。本发明对太阳能电池输出的精确表达式做了合理简化,并保证了精确性。 

主 权 项:1.一种高精度硅太阳能电池的工程模型计算方法,其特征在于:包括以下步骤:S1通过基本等效参数模型得到基本I?V输出函数;S2考虑辐照度与温度对串联等效电阻的影响,从而对基本I?V输出函数进行修正,并且简化修正后的结果;S3最后通过对实验数据拟合得到修正简化后的I?V输出函数中难以通过理论计算得到的参数,从而得到太阳能电池的工程模型;所述步骤S1中基本I?V输出函数为:其中I表示输出电流,V表示输出电压,IL为光生电流,Io为等效二极管反向饱和电流,VT为温度当量电压,RS表示串联等效电阻,RHS表示并联等效电阻;辐照度、温度与串联等效电阻的关系为:RS=α·T+β·G???(4)其中,T与G分别为当前太阳能电池的温度与辐照度;α为温度系数,为正数;β为辐照度系数,为一负数,α与β的值通过实验数据拟合得到;修正并简化后的I?V输出函数表达式为:其中:G表示辐照度,Gref表示参考辐照度,T表示电池温度,Tref表示参考电池温度,α是温度系数,为正数;β是辐照度系数,为一负数,α与β的值通过实验数据拟合得到,ISC为太阳能电池短路电流,α1为温度补偿系数,β1为简化合并后的系数,K1=RS/RHS。 

关 键 词:太阳能电池;工程模型;输出函数;修正;串联等效电阻;硅太阳能电池;等效参数;辐照度;实验数据拟合;输出;理论计算;数学模型;保证 

法律状态: 

IPC专利分类号:G06F19/00(2018.01)I