专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201210557508.2
申 请 日:20121220
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20150520
公 开 号:CN103078082B
代 理 人:郭吉安
代理机构:重庆大学专利中心 50201
摘 要:一种用于锂离子电池的高容量V2O5薄膜正极材料,该材料通过以下方法制备:(1)制备V2O5溶胶:以粉末V2O5为原料,与H2O2搅拌混合制备V2O5溶胶;(2)配制不同浓度的溶胶:将上述V2O5溶胶分别配制成浓度范围为:0.002mol/L至0.016mol/L的溶胶;(3)预处理Pt基底:将Pt片浸没在双氧水中,浸泡10分钟,然后用去离子水冲洗干净,自然风干;(4)制备V2O5薄膜电极:用移液器取10μL所需浓度的V2O5溶胶,铺展在Pt片上,自然风干,置于500℃的马弗炉中煅烧2h,自然冷却至室温,得到V2O5薄膜电极。本发明的V2O5薄膜材料微观形貌特殊,可以提高锂离子电池的比容量。
主 权 项:一种用于锂离子电池的高容量V2O5薄膜电极,该电极通过以下方法制备:(1)制备V2O5溶胶:取3mL?30%的双氧水溶液于25mL的烧杯中,然后将0.146g?V2O5粉末放入烧杯中,室温下充分缓慢搅拌使V2O5粉末完全溶解,然后加入2mL去离子水继续搅拌至形成稳定的红棕色溶胶;(2)配制不同浓度的溶胶:将上述V2O5溶胶分别定容到50mL?400ml,得到浓度范围为:0.002mol/L至0.016mol/L的V2O5溶胶;(3)预处理Pt基底:将Pt片浸没在双氧水中,浸泡10分钟,然后用去离子水冲洗干净,自然风干;(4)制备V2O5薄膜电极:用移液器取10μL所需浓度的V2O5溶胶,铺展在经预处理的Pt片上,自然风干后,置于500℃的马弗炉中煅烧2小时,自然冷却至室温,即得到V2O5薄
关 键 词:
法律状态:授权
IPC专利分类号:H01M4/1391(2010.01)I;H01M4/48(2010.01)I;C01G31/02(2006.01)I