专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201810661593.4
申 请 日:20180625
发 明 人:唐明春胡坤志李梅陈晓明李道通理查德·齐奥尔科夫斯基
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日:20181116
公 开 号:CN108832291A
代 理 人:赵荣之
代理机构:北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要:本发明涉及一种基片集成波导滤波天线,属于滤波天线技术领域,该天线包含上、下层介质基板,金属通孔,金属耦合探针,互补裂口谐振环,激励源和接地板;上、下层介质基板的表面为矩形,上、下层介质基板上下紧密贴合,上层介质基板的上表面设置有接地板,下层介质基板的上下表面均设置有接地板;金属通孔用来在上、下层介质基板上构成上、下谐振腔体的金属壁;互补裂口谐振环蚀刻在上层介质基板上表面的接地板上;金属耦合探针用以连接下层介质基板下表面的金属接地板和上层介质基板上表面的金属接地板;激励源包含依次连接的50欧姆微带线,共面波导和矩形槽。本发明滤波天线匹配良好,并且具有良好的带外抑制以及平坦的通带增益。
主 权 项:1.一种基片集成波导滤波天线,其特征在于:该天线包含上、下层介质基板,金属通孔,金属耦合探针,互补裂口谐振环,激励源和接地板;所述上、下层介质基板的表面为矩形,所述上、下层介质基板上下紧密贴合,上层介质基板的上表面设置有接地板,下层介质基板的上下表面均设置有接地板;所述金属通孔用来在所述上、下层介质基板上构成上、下谐振腔体的金属壁,上、下层介质基板的金属通孔位置不对称,构成上谐振腔体的金属通孔贯穿所述上层介质基板及其接地板,并呈直线分布在所述上层介质基板的四周,上层介质基板及其接地板,上层介质基板的金属通孔,下层介质基板上表面的接地板构成所述上谐振腔体;构成下谐振腔体的金属通孔贯穿所述下层介质基板及其上、下表面的接地板,并呈直线分布在所述下层介质基板的四周,下层介质基板及其上、下表面的接地板,下层介质基板的金属通孔构成所述下谐振腔体;所述互补裂口谐振环蚀刻在上层介质基板上表面的接地板上,所述互补裂口谐振环不闭合,所述互补裂口谐振环设置在靠近上层介质基板的金属通孔周围;所述金属耦合探针由下层介质基板下表面的接地板贯穿到上层介质基板上表面的接地板,金属耦合探针位置靠近互补裂口谐振环裂口处,用以连接下层介质基板下表面的金属接地板和上层介质基板上表面的金属接地板;所述激励源包含依次连接的50欧姆微带线,共面波导和矩形槽,所述50欧姆微带线,共面波导和矩形槽由外向内设置在所述下层介质基板下表面的接地板上。
关 键 词:
法律状态:生效
IPC专利分类号:H01Q1/38; H01Q1/48; H01Q1/50