三端口全桥隔离式总线均衡电路及其工作方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201910469845.8
申 请 日：20190531
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20190809
公 开 号：CN110112924A
代 理 人：路宁
代理机构：重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙)
摘 要：本发明公开了一种三端口全桥隔离式总线均衡电路及其工作方法,第一电容一端连接输入电源负极,所述第一电容另一端连接第一MOS管漏极,所述第一MOS管源极连接第二MOS管漏极,所述第七二极管的负极连接第七MOS管漏极。所述第八二极管的正极连接第八MOS管源极,所述第八二极管的负极连接第八MOS管漏极。所述第九二极管的正极连接第九MOS管源极,所述第九二极管的负极连接第九MOS管漏极,所述第十二极管的正极连接第十MOS管源极,所述第十二极管的负极连接第十MOS管漏极。所述第十一二极管的正极连接第十一MOS管源极,所述第十一二极管的负极连接第十一MOS管漏极。所述第十二二极管的正极连接第十二MOS管源极,所述第十二二极管的负极连接第十二MOS管漏极。
主 权 项：1.一种三端口全桥隔离式总线均衡电路,其特征在于,包括：第一电容、第二电容、第三电容、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第七二极管、第八二极管、第九二极管、第十二极管、第十一二极管、第十二二极管、第一电感、第二电感、第三电感、变压器；第一隔离式均衡电路一端连接第一充放电电源,第一隔离式均衡电路另一端连接能量总线,第二隔离式均衡电路一端连接第二充放电电源,第二隔离式均衡电路另一端连接能量总线,第n隔离式均衡电路一端连接第n充放电电源,第n隔离式均衡电路另一端连接能力总线,其中第一隔离式均衡电路、第二隔离式均衡电路、第n隔离式均衡电路之间并联。
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H02M3/335;H02J7/00