基于旋转永磁体的磁流变液抗沉降存储装置

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201910179584.6 

申 请 日：20190311 

发 明 人：廖昌荣王林飞谢磊寿梦杰李佩张红辉 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20190607 

公 开 号：CN109850328A 

代 理 人：吕小琴 

代理机构：北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 

摘　　要：本发明提供的一种基于旋转永磁体的磁流变液抗沉降存储装置,包括圆柱体结构的存储容器、永磁体以及隔磁部件；所述隔磁部件设置于存储容器外侧,所述永磁体设置于存储容器外侧且隔磁部件位于永磁体和存储器容器之间；所述永磁体以两磁极端部之间连线的中线为旋转轴可转动设置于存储容器的外侧,当处于抗沉降状态时,永磁体的两磁极的延伸方向与存储容器的侧壁的切线方向平行,当处于非抗沉降状态时,永磁体的两磁极的延伸方向与存储容器的侧壁的切线方向垂直；能够不改变磁流变液物质特性的情况下提高磁流变液的悬浮稳定性,从而确保磁流变液的质量以及剪切屈服应力,而且使用方便。 

主 权 项：1.一种基于旋转永磁体的磁流变液抗沉降存储装置,其特征在于：包括圆柱体结构的存储容器、永磁体以及隔磁部件；所述隔磁部件设置于存储容器外侧,所述永磁体设置于存储容器外侧且隔磁部件位于永磁体和存储器容器之间；所述永磁体以两磁极端部之间连线的中线为旋转轴可转动设置于存储容器的外侧,当处于抗沉降状态时,永磁体的两磁极的延伸方向与存储容器的侧壁的切线方向平行,当处于非抗沉降状态时,永磁体的两磁极的延伸方向与存储容器的侧壁的切线方向垂直。 

关 键 词： 

法律状态： 

IPC专利分类号：B65D25/02;B65D25/20