一种用于细胞电融合的微电极阵列芯片

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN200810069511.3 

申 请 日：20080328 

发 明 人：杨军胡宁郑小林侯文生阴正勤霍丹群侯长军曹毅杨静许蓉夏斌张瑞强 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400030重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20080827 

公 开 号：CN101250482A 

代 理 人：康海燕 

代理机构：重庆华科专利事务所 

摘　　要：本发明提出一种用于细胞电融合的微电极阵列芯片，由微电极阵列模块和融合池及平板电极模块组成。微电极阵列模块由硬质绝缘基底层与电极阵列层构成，电极阵列层通过金属引线引入电信号；融合池及平板电极模块由基座和在基座上的融合池构成，融合池底部同时作为平板电极使用；微电极阵列模块上的电极阵列层的尺寸小于融合池及平板电极模块上的融合池的尺寸，微电极阵列模块覆盖于融合池及平板电极模块上，电极阵列层浸入融合池的样品液中，当施加外界电刺激信号，即在微电极阵列与融合池中的平板电极电极微小间距间形成高强度的非均匀梯度电场，实现细胞电融合过程。该芯片可提高细胞融合效率和芯片的耐腐蚀性，改善微电极阵列芯片的生物相容性，保证融合细胞的安全性和细胞活力。 

主 权 项：1. 一种用于细胞电融合的微电极阵列芯片，其特征在于：该芯片由微电极阵列模块和融合池及平板电极模块组成；所述微电极阵列模块由硬质绝缘基底层与键合或用粘和剂固定在基底层上的电极阵列层构成，电极阵列层通过金属引线与外部信号发生电路连接，引入电信号；所述融合池及平板电极模块由硬质导电类材料加工的基座和在基座上加工出的融合池构成，融合池底部同时作为平板电极使用，在基座上加工有进、出样孔，分别与融合池底部同方位上的进、出样孔相连；所述微电极阵列模块上的电极阵列层的尺寸小于融合池的尺寸，微电极阵列模块覆盖于融合池及平板电极模块上，电极阵列层浸入融合池的细胞融合样品液中，当施加外界电刺激信号，即在电极阵列层的微电极阵列与融合池中平板电极的微小间距间形成高强度的非均匀梯度电场，实现细胞电融合过程。 

关 键 词： 

法律状态：撤回 

IPC专利分类号：C12M1/42(2006.01);C12N15/02(2006.01)