碲基复合薄膜作为SOI材料的应用及其功率器件

专利类型：发明专利 

语 言：中文 

申 请 号：CN201210008820.6 

申 请 日：20120112 

发 明 人：辜敏甘平鲜晓东 

申 请 人：重庆大学 

申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号 

公 开 日：20131211 

公 开 号：CN102522365B 

代 理 人：张先芸 

代理机构：重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 

摘　　要：本发明公开碲基复合薄膜作为SOI材料的应用，所述碲基复合薄膜为含SiO2颗粒之间嵌有TeO2和/或Te形成Te/TeO2－SiO2的复合薄膜结构。将碲基复合薄膜应用于SOI器件中，制备以碲基复合薄膜作为硅绝缘层的SOI结构的肖特基二极管器件。通过实验研究证明所述碲基复合薄膜具有高电阻特性、相对介电常数较小、大禁带宽度、高临界击穿电场、高电子迁移率等特点,成为SOI器件制备的理想绝缘材料。本发明解决SOI材料绝缘层的问题，以及开拓碲基复合薄膜的应用领域。 

主 权 项：碲基复合薄膜作为SOI材料的应用。 

关 键 词： 

法律状态：生效 

IPC专利分类号：H01L21/762; H01L29/872; H01L29/06