一种可弯曲磁场测量装置及其制备方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201710724664.6
申 请 日：20170822
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20180112
公 开 号：CN201710724664.6
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司 11275
摘 要：本发明公开了一种可弯曲磁场测量装置及其制备方法，属于磁传感器领域，该装置包括自下而上依次层叠设置的柔性基底层、金属缓冲层、磁致伸缩层、压电薄膜层和保护层，压电薄膜层面对保护层的对应侧上设有嵌于保护层内的换能器层，换能器层由叉指换能器和反射栅构成单端或双端谐振型结构。本装置由于柔性基底材料的应用，相比于传统的刚性衬底材料制备的传感器而言，柔性磁传感器中将会产生除了常用的瑞利波、勒夫波等声表面波模式之外，还会出现新的波模式——兰姆波，使得本装置具有可弯曲、高磁场灵敏性、可集成化加工、成本低廉等优点，符合传感器发展的微型化、智能化等趋势，可用于磁场测量、智能穿戴等领域。
主 权 项：一种可弯曲磁场测量装置，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的柔性基底层(1)、金属缓冲层(2)、磁致伸缩层(3)、压电薄膜层(4)和保护层(7)，所述压电薄膜层面对该保护层的对应侧上设有嵌于该保护层内的换能器层，所述换能器层由叉指换能器(5)和反射栅(6)构成谐振型结构。
关 键 词：传感器;微型化;磁场测量;测量装置及其制备方法;压电薄膜;金属;器层;设置;加工;应用;谐振;公开;表面波;中将;层面;设有;弯曲;自下而上;智能化;可用;
法律状态：生效
IPC专利分类号：G01R33/02;G01R33/00;G;G01;G01R;G01R33;G01R33/02;G01R33/00