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具有高极化隔离度的双极化阵列天线
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201611236338.2
申 请 日：20161228
发 明 人：唐明春陈志远王浩李梅罗兵石中立理查德·齐奥尔科夫斯基
申请人地址：400044重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20170609
公 开 号：CN106816698A
代 理 人：赵荣之
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司11275
摘 要：本发明公开了一种具有高极化隔离度的双极化阵列天线，包括两辐射贴片、设置于两辐射贴片之间的π形互耦抑制结构、寄生耦合的地板和接地容性加载环，所述接地容性加载环垂直的设置于寄生耦合的地板上，所述π形互耦抑制结构与接地容性加载环相互垂直设置。该天线通过在阵列天线阵元间添加互耦抑制结构，有效的提升了天线的极化隔离度，并且天线的其它性能保持良好。??全部
主 权 项：
关 键 词：
法律状态：
IPC专利分类号：H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I;H01Q1/52(2006.01)I;H01Q21/24(2006.01)I