专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201610009946.3
申 请 日:20160107
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20180904
公 开 号:CN105422722B
代 理 人:谢殿武
代理机构:北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129
摘 要:本发明提供的一种变阻尼间隙磁流变缓冲器,包括内部填充有磁流变介质的工作缸、设置于工作缸内的活塞以及与活塞固定连接的活塞杆;所述工作缸的内侧壁为内径由左端到右端先增大后减小的凹弧面结构,工作缸的内侧壁与活塞之间具有阻尼间隙且该阻尼间隙的宽度随着活塞在工作缸内往复运动而变化,所述活塞外侧壁设置有励磁线圈,能够有效根据冲击状态进行自适应调节,适应能力强,而且相应速度快,能够有效地减小冲击力峰值以及减轻冲击对缓冲器造成的损伤,具有良好的稳定性和可靠性。
主 权 项:1.一种变阻尼间隙磁流变缓冲器的自适应控制方法,其特征在于:包括如下步骤:S1.检测变阻尼间隙磁流变缓冲器在不同时刻的冲击能量E0,根据冲击能量E0判断当前冲击类型;S2.根据当前冲击类型从控制策略集合中选择匹配的控制策略控制励磁线圈的励磁电流大小;步骤S1中,根据当前冲击能量E0按照如下方式确定冲击类型:a1.当E0≤E1时,为第一类冲击;a2.当E1<E0≤E2时,为第二类冲击;a3.当E0>E2时,为第三类冲击;其中,E1为励磁线圈不施加任何励磁电流时变阻尼间隙磁流变缓冲器可以耗散的最大冲击能量,E2为励磁线圈施加最大励磁电流时变阻尼间隙磁流变缓冲器可以耗散的最大冲击能量;步骤S2中,控制策略集合为对励磁线圈施加电流的状态,包括:不施加励磁电流、施加最大励磁电流以及施加可调励磁电流;其中:当前冲击为第一类冲击时,控制单元不向励磁线圈施加励磁电流;当前冲击为第三类冲击时,控制单元向励磁线圈施加最大励磁电流;当前冲击为第二类冲击时,控制单元向励磁线圈施加可调励磁电流;其中,所述变阻尼间隙磁流变缓冲器的结构如下:包括内部填充有磁流变介质的工作缸、设置于工作缸内的活塞以及与活塞固定连接的活塞杆;所述工作缸内还设置有浮动活塞,所述浮动活塞将工作缸内部空间分隔成液压腔和补偿腔,所述活塞设置于液压腔中;所述液压腔的内侧壁为内径从左端到右端先增大后减小的弧面结构;工作缸的内侧壁与活塞之间具有阻尼间隙且该阻尼间隙的宽度随着活塞在工作缸内往复运动而变化,所述活塞外侧壁设置有励磁线圈;所述液压腔内侧壁的凹弧面的顶点设置于液压腔的左端且位于液压腔的1/4长度处到工作缸的轴向中点之间;所述补偿腔的内侧壁为柱状结构且补偿腔和液压腔的结合处设置有用于对浮动活塞限位的环状挡圈;所述活塞与工作缸同轴设置且活塞与工作缸的内侧壁之间形成环状结构的阻尼间隙,且该阻尼间隙的宽度变化范围为0.5?3mm;所述活塞杆从工作缸的左端伸出,所述活塞杆的外端端部固定设置有外机构,所述外机构设置有用于检测冲击物速度以及冲击物与外机构之间的相对距离的探测器,所述探测器与控制单元连接且控制单元控制励磁线圈的励磁电流大小。
关 键 词:活塞;工作缸;磁流变缓冲器;阻尼间隙;变阻尼;内侧壁;减小;缓冲器;凹弧面结构;磁流变介质;自适应调节;自适应控制;冲击状态;励磁线圈;内部填充;活塞杆;能力强;外侧壁;有效地;左端;冲击力;损伤
法律状态:授权
IPC专利分类号:F16F9/53(2006.01)I