浏览量:0
一种制备纳米薄膜的方法
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN200410021825.8
申 请 日：20040212
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙坪坝正街174号
公 开 日：20041229
公 开 号：CN1557991A
代 理 人：郭吉安
代理机构：重庆大学专利中心
摘 要：一种制备纳米薄膜的方法，(1)在基材上制作一层由三维几何尺度中至少有一维尺度为纳米级(1－100nm)的结构单元组成的单层膜，(2)在单层膜表面覆隔离层，(3)重复前述两个步骤，循环多次，获得多层膜，(4)相变处理。其特点是每层单层膜间均被隔离层所隔离。其显著优点是由极稀薄的纳米级单层膜及隔离层逐层叠加成纳米多层膜，无论制备过程或是使用过程中纳米结构单元的几何尺度均不会快速生长。
主 权 项：1.一种制备纳米薄膜的方法，工艺过程为：(1)在基材上制作一层由三维几何尺度中至少有一维尺度为纳米级的结构单元组成的单层膜，(2)在单层膜表面覆隔离层，(3)重复制作单层膜和覆隔离层，循环多次，获得多层膜，(4)相变处理，其特征是所述的隔离层由磷酸盐粘结剂组成。
关 键 词：
法律状态：终止
IPC专利分类号：C23C26/00; H01L49/02