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电小平面惠更斯源天线
专利类型：发明专利
语 言：中文
申 请 号：CN201610782010.4
申 请 日：20160831
申 请 人：重庆大学深圳天珑无线科技有限公司
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20161221
公 开 号：CN106252861A
代 理 人：辛自强;陈庆超
代理机构：北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447
摘 要：本发明公开了一种电小平面惠更斯源天线，包括层叠设置的上层介质基板和下层介质基板，电偶极子贴设于所述上层介质基板的上表面，磁偶极子贴设于所述下层介质基板的下表面，第一激励条带和第二激励条带设置在所述上层介质基板和所述下层介质基板之间，同轴电缆，包括内导体和外导体，内导体穿过所述下层介质基板以与所述第一激励条带相连，外导体穿过所述下层介质基板以与所述第二激励条带相连。通过上述技术方案，一方面利用近场耦合谐振技术，通过将电偶极子和磁偶极子有机结合，实现了单馈源的电小惠更斯源天线；另一方面，该惠更斯源天线直接采用非平衡馈电，即单个同轴电缆馈电，不再需要巴伦、功分器等其它的辅助馈电结构。
主 权 项：一种电小平面惠更斯源天线，其特征在于，包括：层叠设置的上层介质基板和下层介质基板；电偶极子，贴设于所述上层介质基板的上表面；磁偶极子，贴设于所述下层介质基板的下表面；第一激励条带和第二激励条带，设置在所述上层介质基板和所述下层介质基板之间；同轴电缆，包括内导体和外导体，内导体穿过所述下层介质基板以与所述第一激励条带相连，外导体穿过所述下层介质基板以与所述第二激励条带相连。
关 键 词：
法律状态：公开
IPC专利分类号：H01Q1/38(2006.01)I;H01Q1/50(2006.01)I