专利类型:发明专利
语 言:中文
申 请 号:CN201910448883.5
申 请 日:20190528
申 请 人:重庆大学
申请人地址:400030 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日:20190726
公 开 号:CN110061628A
代 理 人:路宁
代理机构:重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙)
摘 要:本发明公开了一种基于总线式均衡网络的隔离式均衡电路,第一电感一端连接输入电源正极,所述第一电感另一端连接第一MOS管漏极,所述第二电感一端连接输出电源的正极,所述第二电感另一端连接第二MOS管漏极,所述第一MOS管源极连接输入电源的负极,所述第二电容一端连接第二MOS管漏极,所述第二电容另一端连接变压器二次侧的输出端,所述变压器一次测的输出端连接第一MOS管的源极,所述变压器二次侧的输入端连接第二MOS管源极,所述输出电容一端连接输出电源的正极,所述输出电容另一端连接第二MOS管源极,所述第一二极管的负极连接第一MOS管漏极,所述第二二极管的正极连接第二MOS管源极,所述第二二极管的负极连接第二MOS管漏极。
主 权 项:1.一种基于总线式均衡网络的隔离式均衡电路,其特征在于,包括:第一电感、第二电感、输入电容、输出电容、第一电容、第二电容、第一MOS管、第二MOS管、第一二极管、第二二极管、变压器;第一隔离式均衡电路一端连接第一充放电电源,第一隔离式均衡电路另一端连接能量总线,第二隔离式均衡电路一端连接第二充放电电源,第二隔离式均衡电路另一端连接能量总线,第n隔离式均衡电路一端连接第n充放电电源,第n隔离式均衡电路另一端连接能力总线,其中第一隔离式均衡电路、第二隔离式均衡电路、第n隔离式均衡电路之间并联;所述第一电感一端连接输入电源正极,所述第一电感另一端连接第一MOS管漏极,所述第二电感一端连接输出电源的正极,所述第二电感另一端连接第二MOS管漏极,所述第一MOS管源极连接输入电源的负极,所述第二MOS管源极连接输出电源的负极,所述输入电容一端连接输入电源正极,所述输入电容另一端连接第一MOS管源极,所述第一电容一端连接第一MOS管漏极,所述第一电容另一端连接变压器一次测的输入端,所述第二电容一端连接第二MOS管漏极,所述第二电容另一端连接变压器二次侧的输出端,所述变压器一次测的输出端连接第一MOS管的源极,所述变压器二次侧的输入端连接第二MOS管源极,所述输出电容一端连接输出电源的正极,所述输出电容另一端连接第二MOS管源极,所述第一二极管的正极连接第一MOS管源极,所述第一二极管的负极连接第一MOS管漏极,所述第二二极管的正极连接第二MOS管源极,所述第二二极管的负极连接第二MOS管漏极。
关 键 词:
法律状态:
IPC专利分类号:H02M3/335;H02J7/00