新结构相关双采样保持电路
专利类型：实用新型
语 言：中文
申 请 号：CN02245464.0
申 请 日：20021231
申 请 人：重庆大学
申请人地址：400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号
公 开 日：20031112
公 开 号：CN2586314Y
代 理 人：张先芸
代理机构：重庆创新专利事务所有限公司
摘 要：新结构相关双采样保持电路，包含有源随管Msf1、开关管MLp、采样选通管Msh和直流复位管Mdc，源随管Msf1的源极经开关管MLp接电源，且经采样保持电容Ccds接缓冲输出级的输入端，漏极经采样选通管Msh接地，栅极接积分电容。源随管Msf1的源极和衬底接在一起，以减小MOS管的体效应；直流复位管Mdc的漏极和源极分别接缓冲输出级的输入端和地；开关管MLp、采样选通管Msh和直流复位管Mdc的栅极均接同一控制脉冲Vcdsh。它具有结构简单、驱动脉冲简单，数模转换方便，且提高了帧频率，功耗很小和输出噪声特性大幅改善等优点。本实用新型可用于各种光电、光伏和光导探测器的积分信号的输出处理。
主 权 项：1、新结构相关双采样保持电路，其特征在于含有源随管(MSF1)、开关管(MLP)、采样选通管(MSH)和直流复位管(MDC)，各MOS晶体管分别有源极、漏极和栅极；源随管(MSF1)的源极经开关管(MLP)接电源，且经采样保持电容(CCDS)接缓冲输出级的输入端，漏极经采样选通管(MSH)接地，栅极接积分电容；源随管MSF1的源级和衬底接在一起；直流复位管(MDC)的漏极和源极分接缓冲输出级的输入端和地；开关管(MLP)、采样选通管(MSH)和直流复位管(MDC)的栅极均接同一控制脉冲VCDSH。
关 键 词：
法律状态：授权
IPC专利分类号：H04N5/33; H04N5/217; H04N5/335